因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項(xiàng)目

界面結(jié)合強(qiáng)度：評估熱電薄膜與基底或?qū)娱g界面的結(jié)合牢靠性，采用劃痕法或微拉伸法，測量臨界載荷范圍5-200N，位移分辨率0.1μm。

界面熱阻分布：量化界面處熱傳導(dǎo)阻力，使用激光閃射法結(jié)合微區(qū)熱阻測量，測試溫度范圍-196℃至600℃，熱阻分辨率0.1m2·K/W。

界面電勢梯度：檢測界面兩側(cè)電勢差分布，通過Kelvin探針力顯微鏡測量，空間分辨率50nm，電勢測量精度±50mV。

界面微觀形貌：觀察界面微觀結(jié)構(gòu)特征，采用掃描電子顯微鏡（SEM）成像，放大倍數(shù)500-100000倍，分辨率0.5nm。

界面成分分析：識(shí)別界面元素組成及分布，利用能譜儀（EDS）進(jìn)行元素定性定量，檢測元素范圍B-U，含量分辨率0.1wt%。

殘余應(yīng)力分布：測定界面區(qū)域殘余應(yīng)力大小及分布，采用X射線衍射法（XRD），應(yīng)力測量范圍-1000MPa至+1000MPa，空間分辨率20μm。

熱循環(huán)后界面穩(wěn)定性：評估熱循環(huán)過程中界面結(jié)構(gòu)演變，測試溫度范圍-50℃至300℃，循環(huán)次數(shù)100-1000次，結(jié)合SEM觀察界面裂紋擴(kuò)展速率。

腐蝕產(chǎn)物分析：檢測界面腐蝕產(chǎn)物成分及厚度，使用聚焦離子束（FIB）制樣結(jié)合透射電子顯微鏡（TEM），厚度測量精度0.1nm，成分分析分辨率5nm。

界面電荷密度：測量界面處靜電荷分布密度，采用Kelvin探針法，電荷密度測量范圍10??-10?2C/m2，精度±5%。

界面斷裂韌性：評估界面抗裂紋擴(kuò)展能力，通過壓痕法結(jié)合有限元模擬，斷裂韌性測量范圍0.1-10MPa·m1/2，誤差±3%。

界面擴(kuò)散層厚度：測定界面元素?cái)U(kuò)散深度及分布，采用二次離子質(zhì)譜（SIMS）分析，深度分辨率0.1nm，濃度檢測限1012atoms/cm3。

檢測范圍

碲化鉍基熱電薄膜：Bi?Te?基薄膜，常用于室溫溫差發(fā)電與電子制冷器件。

碲化銻基熱電薄膜：Sb?Te?基薄膜，適用于中低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)換應(yīng)用。

方鈷礦基熱電薄膜：CoSb?基薄膜，具備高電導(dǎo)率與低熱導(dǎo)率特性。

硅鍺合金熱電薄膜：SiGe基薄膜，用于高溫航天熱電轉(zhuǎn)換器件。

碲化鉛基熱電薄膜：PbTe基薄膜，在中溫區(qū)具有優(yōu)異熱電性能。

層狀鈣鈦礦熱電薄膜：Ca?Co?O?基薄膜，適用于柔性熱電器件。

碲化鋅基熱電薄膜：ZnTe基薄膜，用于紅外傳感器熱管理。

硫化鉍基熱電薄膜：Bi?S?基薄膜，在低溫柔性器件中表現(xiàn)突出。

碲化鎘基熱電薄膜：CdTe基薄膜，應(yīng)用于光伏-熱電耦合組件。

銻化鎵基熱電薄膜：GaSb基薄膜，用于微納尺度熱電能量收集。

硒化鉍基熱電薄膜：Bi?Se?基薄膜，適用于高性能熱電制冷模塊。

檢測標(biāo)準(zhǔn)

ASTME112-13《JianCeTestMethodsforDeterminingAverageGrainSize》：規(guī)定金屬材料平均晶粒尺寸的測量方法，適用于熱電薄膜晶粒尺寸分析。

ISO14703:2015《Scanningelectronmicroscopy—Guidelinesforthepreparationandexaminationofbulkmaterials》：規(guī)范掃描電子顯微鏡樣品制備與觀察方法，指導(dǎo)熱電薄膜界面微觀形貌分析。

GB/T34877-2017《Thermoelectricmaterials—Generalrequirementsforperformancetesting》：規(guī)定熱電材料性能測試的通用要求，涵蓋熱電薄膜界面熱電性能測試方法。

ASTMD3934-03《JianCeTestMethodforMeasuringAdhesionofThinFilmCoatingsbytheScratchMethod》：明確薄膜涂層附著力的劃痕測試方法，用于熱電薄膜界面結(jié)合強(qiáng)度檢測。

ISO21439:2019《Thermoelectricmodules—Testmethodforconversionefficiency》：規(guī)定熱電模塊轉(zhuǎn)換效率的測試方法，涉及界面熱阻與電勢梯度測量要求。

GB/T24573-2009《Thermocouplematerials—Bismuthtellurideanditsalloys》：規(guī)定碲化鉍及合金熱電材料的技術(shù)要求，包括薄膜材料界面成分與性能測試方法。

ASTME3296-19《JianCeTestMethodforThermalResistanceofThinFilmsUsingLaserFlashMethod》：制定薄膜熱阻的激光閃射測試方法，適用于熱電薄膜界面熱阻測量。

ISO17075-1:2016《Surfacechemicalanalysis—X-rayphotoelectronspectroscopy—Part1:Generalprocedures》：規(guī)范X射線光電子能譜的表面化學(xué)分析方法，用于熱電薄膜界面成分深度剖析。

GB/T38031-2019《Thin-filmsolarcells—Measurementofelectricalandopticalpropertiesofamorphoussiliconbasedthin-filmmodules》：規(guī)定非晶硅薄膜太陽能電池電學(xué)與光學(xué)性能測量方法，涉及熱電薄膜界面電性能測試要求。

ASTMF1529-06《JianCeTestMethodforInterfacialAdhesionStrengthBetweenLaminatedMaterials》：明確層狀材料界面結(jié)合強(qiáng)度的測試方法，適用于熱電薄膜與基底界面的結(jié)合性能評估。

檢測儀器

聚焦離子束系統(tǒng)（FIB）：通過離子束轟擊樣品表面實(shí)現(xiàn)納米級加工，可在熱電薄膜界面區(qū)域制備TEM制樣或截面觀察樣品，支持界面微觀結(jié)構(gòu)的高精度分析。

掃描電子顯微鏡-能譜儀聯(lián)用系統(tǒng)（SEM-EDS）：利用電子束激發(fā)樣品產(chǎn)生二次電子成像，結(jié)合能譜儀進(jìn)行元素成分分析，用于熱電薄膜界面微觀形貌觀察與元素分布表征。

X射線光電子能譜儀（XPS）：通過X射線激發(fā)表面電子發(fā)射，分析元素種類、化學(xué)態(tài)及含量，空間分辨率可達(dá)10nm，適用于熱電薄膜界面化學(xué)狀態(tài)與成分深度剖析。

原子力顯微鏡（AFM）：利用探針與樣品表面的相互作用力進(jìn)行成像，可測量表面形貌、表面電勢及彈性模量，分辨率達(dá)原子級，用于熱電薄膜界面微觀形貌與電勢分布檢測。

激光閃射法熱導(dǎo)率測試儀：通過測量樣品表面的溫度響應(yīng)曲線計(jì)算熱擴(kuò)散率，結(jié)合密度與比熱容數(shù)據(jù)得到熱導(dǎo)率，配備微區(qū)測試附件時(shí)可測量熱電薄膜界面熱阻分布。

劃痕測試儀：通過金剛石壓頭在樣品表面劃動(dòng)，監(jiān)測劃痕過程中的載荷與聲發(fā)射信號，確定界面結(jié)合強(qiáng)度的臨界載荷，適用于熱電薄膜與基底界面的結(jié)合性能測試。

微區(qū)拉曼光譜儀：利用激光激發(fā)樣品產(chǎn)生拉曼散射，分析分子振動(dòng)與晶體結(jié)構(gòu)信息，空間分辨率可達(dá)1μm，用于熱電薄膜界面晶體結(jié)構(gòu)演變與缺陷分析。

差示掃描量熱儀（DSC）：通過測量樣品在程序控溫下的熱量變化，分析相變過程與熱效應(yīng)，溫度范圍-196℃至725℃，適用于熱電薄膜界面殘余應(yīng)力與相變行為研究。

四探針測試儀：采用四根探針接觸樣品表面，通過恒流源與電壓表測量電阻率，測量范圍10??Ω·cm至10?Ω·cm，用于熱電薄膜界面電導(dǎo)率測量。

高頻阻抗分析儀：在高頻范圍內(nèi)測量材料的阻抗特性，頻率范圍1MHz至3GHz，適用于熱電薄膜界面高頻電性能分析。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認(rèn)檢測用途及項(xiàng)目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測

6、檢測出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件